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10V45,10V60,10V100，ASEMI低压降肖特基二极管，贴片小封装适用手机快充电器的标准配置 ER10V45GY
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR10200AC,MBR10100AC,MBR10150AC,MBR1040/45/60AC, ASEMI肖特基二极管2只脚
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR40100DC,MBR4060DC,MBR4045DC,ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR10100DC,MBR10150DC,MBR10200DC,MBR1060DC,MBR1045DC,ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR20100DC,MBR20150DC,MBR20200DC,MBR2060DC,MBR2045DC,ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR30100DC,MBR30150DC,MBR30200DC,MBR3060DC,MBR3045DC,ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR40200PT,MBR40150PT,MBR40100PT,MBR4060PT,MBR4045PT,ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR60200PT,MBR60150PT，ASEMI肖特基二极管，高压大电流适配变频器、充电箱等功率设备 MBR60200PT
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR30200PT,MBR30100PT,MBR30150/60/45PT,MBR20200PT, ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SBT40100VFCT,SBT4060VFCT,SBT4045VFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SB10100LFCT,SB1060LFCT,SB1045LFCT, SB10150LFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SB20100LFCT,SB2060LFCT,SB2045LFCT, SB20150LFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SB3045LFCT,SB30100LFCT,SB3060LFCT,SB30150LFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SBT10100VFCT,SBT1060VFCT,SBT1045VF,SBT10150VFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SBT20100VFCT,SBT2060VFCT,SBT2045VF,SBT20150VFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SBT30100VFCT,SBT3060VFCT,SBT3045VF,SBT30150VFCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SB30100LCT,SB3045LCT，SB3060LCT,SB30150LCT ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SBT30100VCT,SBT3060VCT,SBT3045VCT,SBT30150VCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SBT40100VCT,SBT4060VCT,SBT4045VCT, ASEMI低压降肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
-
SB10100LCT,SB1060LCT,SB1045LCT,SB10150LCT, ASEMI低压降肖特基二极管
●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
