肖特基二极管
“不是所有的二极管都叫肖特基，
也不是所有的肖特基都是ASEMI”
低功耗 | 大电流 | 超高速
正向电压降小，无存储电荷
适合：低压高频整流
击穿隔离，漏电消失
硅接触势垒工艺
一般采用金属—半导体接触来形成肖特基势垒，但是由于金属与半导体接触时，接触界面之间SiO2层的存在，使得接触电阻和表面态密度明显增大，致使器件的性能大大降低
我们采用了扩散势垒和多层金属化技术，为了提高反向性能，采用了保护环结构等新工艺技术
宽“S”形弯曲触须
压力接触的镀金上引线
• 为减小封装串联电阻，降低正向压降，尽量加大了引线与芯片的接触面积
• 轴向引线，壳体透明，体积小、重量轻、可靠性高
• 符合GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的标准要求
溅射和退火
关键工艺解决方案
达到最佳势垒金属厚度和形成最佳表面，使管芯获得最好的电参数性能及较高的成品率
封装前对芯片进行100%的镜检，剔除有缺陷的芯片
品牌旗下肖特基二极管成员8
8大系列产品
适用广泛
10
10大封装工艺
品质保障
78
20道工艺流程
精益求精
198
198种规格型号
供您挑选
20
Process flows
道工艺流程
1.投片打标
2.清洗氧化
3.OAP以及匀胶
4.光刻曝光,显影,后拱
5.坚膜,腐蚀
6.坚膜,注入
7.去胶
8.B推结,氧化形成P+隔离
9.光刻,刻引线孔
10.清洗P-注入前氧化
11.P-注入提高电压
降低漏电流
12.漂酸去掉引线孔氧化层
13.清洗蒸CR
14.合金形成合金势垒
15.扒CR
16.清洗蒸发,蒸发铝
17.反刻铝
18.背面减薄
19.清洗漂酸背面金属化
20.成型测试
肖特基势垒的
反向抗烧毁能力
• 高温下检查反向漏电特性，并对样品进行破坏性物理实验
• 硬击穿特性曲线，常温漏电流极小，为0.2—0.3mA
• 200mA击穿电流下，特性曲线稳定，不出现漏电流变大，
曲线变软以及蠕变沟道、鼓泡、穿通等失效模式
肖特基二极管5大特点正向压
降低
击穿特性
稳定
漏电
小
反向恢复
时间短
能承受大的
浪涌电流
选择 品牌
请认准包装
• 印刷精美，包装严实
• 纸板厚实，更好地保护产品
• ASEMI标志，品质保障
肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。欢迎咨询 取样测试。