摘要：ASEMI-SBT20100VFCT是当下肖特基二极管中的趋势所向，选SBT20100VFCT就选强元芯。
在未来的电子行业中，小，薄，消耗低，越来越受到大家的重视，比如SBT20100VFCT是一款低压降的肖特基二极管，普通的肖特基二极管压降在0.8V左右，已经比普通的二极管1.1V的电压降低了很多，而SBT20100VFCT的压降更是降低到0.51V，比普通的二极管消耗低了近40%，大大降低了电路中不需要的损耗，提高了能源的利用率，同时，节约环保越来越受到人们的重视，而降低损耗，提高能源利用率又恰恰是相当重要的一部分。
性能优势
SBT20100VFCT-产品优势
肖特基二极管SBT20100VFCT 采用抗冲击能力芯片；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节，同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测。更是打破业界测试标准，将漏电流有5uA加严到2uA以内；正向压降Vf由0.8V加严到0.51V即单颗管芯VF控制在0.38V以内；
END
来源：强元芯
作者：雷雷
图片：网络
以肖特基二极管SBT20100VFCT为例，产品为TO-220封装，正向电流20A，反向耐压100V，正向压降0.51V，正向峰值浪涌电流150A，反向泄漏电流20UA。其电性参数如图。
