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MDQ150-16/MDQ150-18 ASEMI单相整流模块
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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S75VB120/S75VB140/S75VB160，ASEMI整流桥，适配电动工具、光伏专用
更多 +S75VB120的电性参数：最大正向平均电流75A；最大反向峰值电压1200V
S75VB120的包装方式：5K/盘，10K/盒，50K/箱
整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用
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D13009-ASEMI三极管、NPN晶体管、12A 400V硅晶体管、TO-220全塑封
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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D13005-ASEMI三极管、NPN晶体管、4A 400V硅晶体管、TO-220F全塑封
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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D13009-ASEMI三极管、NPN晶体管、12A 400V硅晶体管、TO-220半塑封
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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D13005-ASEMI三极管、NPN晶体管、4A 400V硅晶体管、TO-220半塑封
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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UD8KB100,UD8KB80,UD8KB60,UD8KB40,,UD8KB20, ASEMI整流桥
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MT3516W大功率整流桥， ASEMI整流桥
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MT7516，ASEMI三相整流桥，工业焊机/三相电机/医疗设备用整流桥 MT7516A
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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3GBJ5016A-ASEMI大功率整流桥3GBJ5016A
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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CL08-RG210-ASEMI高压二极管0.5A 8000V
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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SF506DS-ASEMI贴片快恢复二极管5A 600V
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MURD560-ASEMI贴片快恢复二极管5A 600V
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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GBU812，GBU814，GBU816-ASEMI新能源专用整流桥
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MBR400100FCT,-ASEMI肖特基模块400A 100V
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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APT80DQ60BG/APT80DQ40BG/APT80DQ20BG/APT80DQ120BG-ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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APT30DQ60BG/APT30DQ40BG/APT30DQ20BG/APT30DQ120BG-ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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APT60DQ60BG/APT60DQ40BG/APT60DQ20BG/APT60DQ120BG-ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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GMK15100-ASEMI光伏二极管GMK15100
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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GMK10100-ASEMI光伏二极管GMK10100
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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