ASEMI低压降二极管
新型工艺技术分解
低压降肖特基二极管工艺技术是怎么样的呢？看看ASEMI工程为您解读新型工艺的分解
如今随着低压降肖特基二极管逐渐面世，SBT20100VF为何一出市就遭到疯抢？SBT20100VF和SBT20100UF又有何区别呢？
每一代的低压降肖特基二极管采用着不同LOW VF肖特基芯片制造和成品封装工艺，那么产品更新换代中又有着哪些同工异曲呢？ASEMI工程师为您分析。
SBT20100VF和SBT20100UF此类20A，100V低正向肖特基产品是2016年市场热点产品，定额电流下，正向压降比常规肖特基低近30%。采用先进的沟槽制造工艺,可提高2%以上的满载效率.ASEMI品牌低压降肖特基的SBT20100VF和SBT20100UF，两者都是采用TRENCH先进工艺，同是三只脚共阴结构。
SBT20100VF的V代表V版LOW VF（100V V版VF=0.63v）,而SBT20100UF的是代表
ULTRA LOW VF（100V U版VF=0.58v）。我们也可以从表图看出SBT20100VF和
SBT20100UF之间差异主要在于VF值。
首先，我们ASEMI品牌的低压降肖特基二极管，历经五年开发，目前已拥有三代LOW VF SKY。该产品主要专注于对电源转换效率,而达到超低VF值特性和快速开关特性，能助您电源产品提升电源开关效率及节能的要求，ASEMI对低压降肖特基二极管每一代都有着新突破的技术更新。
ASEMI低压降肖特基第二代，采用平面MOS工艺，将MOSFET制造工艺融入于肖特基芯片制程中，增加芯片晶胞结构的密度，从而克服传统肖特基在VF和IR在参数上的平衡问题，即保持了传统肖特基的优点，又解决了传统肖特基在漏电设计上做遇到的屏障。ASEMI品牌五年来对该技术专研，如今又有着何“芯”突破呢？
强元芯电子
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ASEMI低压降的更新换代
低压降年度爆款
历经三代更替
平面工艺分解（第二代）
