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GMK10100-ASEMI光伏二极管GMK10100
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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GMK6050-ASEMI光伏二极管GMK6050
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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GMK5050-ASEMI光伏二极管GMK5050
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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GMK5045-ASEMI光伏逆变器二极管GMK5045
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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GMK4050-ASEMI光伏二极管GMK4050
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MUR20100DC,MUR2080DC,MUR2060DC,ASEMI贴片TO-263封装快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MUR20100DCR,MUR2080DCR,MUR2060DCR,ASEMI共阳快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MUR8060PT,MUR8040PT,MUR80100PT,MUR80120PT，ASEMI高压快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MDC300-16,MDC300-14,MDC300-12,MDC300-10, ASEMI单臂串联整流模块
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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MDC400-16,MDC400-14,MDC400-12,MDC400-10, ASEMI单臂串联整流模块
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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FGH60N60SMD-安森美车规级mos管、ASEMI原装代理
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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EGBJ5006-ASEMI快恢复整流桥EGBJ5006
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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HGBJ5006-ASEMI快恢复整流桥HGBJ5006
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚，镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护，方便仓库长期存贮，上机易上锡易焊接
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PL3394A，ADC型/低功耗高性能2.4G RF收发SOC芯片，银行级安全加密MCU，PL3394A
更多 +●PL3394A，集成2.4GHz RF无线射频收发模块，1T增强型ET051内核
●内置4K字节Flash/128字节EEPROMZ,无线速率：1Mbps,256字节的RAM
●最多15个双向通用I/O口，银行级高安全级别保护用户程序及数据，抗干扰性能强
●内置地址及FEC,CRC效验功能，支持自动应答及自动重发功能
●可配置程序区，数据区读出控制权限，同时程序区代码加密扰码存储
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PL37XX，ADC型/低功耗高性能2.4G RF收发SOC芯片，银行级安全加密MCU，PL37XX
更多 +●PL37XX，集成2.4GHz RF无线射频收发模块，1T增强型ET051内核
●内置4K字节Flash/128字节EEPROMZ,无线速率：1Mbps,256字节的RAM
●最多15个双向通用I/O口，银行级高安全级别保护用户程序及数据，抗干扰性能强
●内置地址及FEC,CRC效验功能，支持自动应答及自动重发功能
●可配置程序区，数据区读出控制权限，同时程序区代码加密扰码存储
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PL311X，ADC型/低功耗高性能2.4G RF收发SOC芯片，银行级安全加密MCU，PL311X
更多 +●PL331X，集成2.4GHz RF无线射频收发模块，1T增强型ET051内核
●内置4K字节Flash/128字节EEPROMZ,无线速率：1Mbps,256字节的RAM
●最多15个双向通用I/O口，银行级高安全级别保护用户程序及数据，抗干扰性能强
●内置地址及FEC,CRC效验功能，支持自动应答及自动重发功能
●可配置程序区，数据区读出控制权限，同时程序区代码加密扰码存储
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PL33XX，ADC型/低功耗高性能2.4G RF收发SOC芯片，银行级安全加密MCU，PL33XX
更多 +●PL3369，集成2.4GHz RF无线射频收发模块，1T增强型ET051内核
●内置4K字节Flash/128字节EEPROMZ,无线速率：1Mbps,256字节的RAM
●最多15个双向通用I/O口，银行级高安全级别保护用户程序及数据，抗干扰性能强
●内置地址及FEC,CRC效验功能，支持自动应答及自动重发功能
●可配置程序区，数据区读出控制权限，同时程序区代码加密扰码存储
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PL3369，ADC型/低功耗高性能2.4G RF收发SOC芯片，银行级安全加密MCU，PL3369
更多 +●PL3369，集成2.4GHz RF无线射频收发模块，1T增强型ET051内核
●内置4K字节Flash/128字节EEPROMZ,无线速率：1Mbps,256字节的RAM
●最多15个双向通用I/O口，银行级高安全级别保护用户程序及数据，抗干扰性能强
●内置地址及FEC,CRC效验功能，支持自动应答及自动重发功能
●可配置程序区，数据区读出控制权限，同时程序区代码加密扰码存储
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