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MDK110-08, ASEMI单臂共阴极整流模块
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MFK200-40/MFK200-60, ASEMI快恢复模块
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MUR3100/MUR360/MUR340/MUR330/MUR320 ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MUR2100/MUR280/MUR260/MUR240/MUR220 ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SR5100/SR5150/SR5200/SR580/SR560/SR540 ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SR3100/SR3150/SR3200/SR380/SR360/SR340, ASEMI肖特基二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(U1M-SOD123) U1M/U1K/U1J/U1G/U1D/U1B/U1A, ASEMI高效恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SR2100/SR2150/SR2200/SR280/SR260/SR240 ASEMI插件肖特基二极管 [DO-27]
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SF58/SF57/SF56/SF55/SF54 ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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SF48/SF47/SF46/SF45/SF44 ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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[SF38-DO-27] SF38/SF37/SF36/SF35/SF34/SF33 ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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MUR4100/MUR480/MUR460/MUR460/MUR440/MUR420 ASEMI超快恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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HER508/HER507/HER506/HER505/HER504/HER503 ASEMI高效恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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FR507/FR506/FR505/FR504/FR503 ASEMI快速恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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FR307/FR306/FR305/FR304/FR303 ASEMI快速恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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(RS2M-SMB) RS2MB/RS2KB/RS2JB/RS2GB/RS2DB, ASEMI快速恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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5A10/5A8/5A6/5A4/5A2 ASEMI轴向插件整流二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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4A10/4A8/4A6/4A4/4A2 ASEMI轴向插件整流二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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1N5408/1N5407/1N5406/1n5405, ASEMI轴向插件整流二极管 [DO27】
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用丝印打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
-
(F1M-SOD123)F1M/F1K/F1J/F1G/F1D:ASEMI快速恢复二极管
更多 +●采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况
●采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好
●采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好
●采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用
●内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接
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